Boogred BODED COPPER SEREMIAING (DBC) පිළිබඳ හැඳින්වීම.

ඩී.බී.සී සෙරමික් උපස්ථර ක්රියාවලිය වන්නේ තඹ සහ පිඟන් මැටි අතර ඔක්සිජන් මූලද්රව්ය 1065 ~ 1083 ° Cයක දී ලබා ගැනීම සහ පසුව අතරමැදි අවධිය (Cualol2 හෝ cual2o4), එබැවින් සංයෝජනය අවබෝධ කර ගැනීම සඳහා ප්රතික්රියා කිරීමයි Cu තහඩුව සහ සෙරමික් උපස්ථර රසායනික ද්රව්ය රසායනික මෙල්ල, සහ අවසානයේදී ලිතොනොග්රැෆි තාක්ෂණය හරහා, රටා සකස් කිරීම, පරිපථයක් සෑදීම.

සෙරමික් පීසීබී උපස්ථරය ස්ථර 3 කට බෙදා ඇති අතර මැද පරිවාරක ද්රව්ය AL22O3 හෝ ASN වේ. AL2O3 හි තාප සන්නායකතාව සාමාන්යයෙන් 24 W / (M K) වන අතර ASN හි තාප සන්නායකතාව 170 W / (M K) වේ. ඩීබීසී සෙරමික් උපස්ථරයේ තාප ප්රසාරණයේ සංගුණකය AL2O3 / ALN, එය CHIP සහ හිස් පිඟන් මැටි අතර තාප ආතතිය සැලකිය යුතු ලෙස අඩු කර ගත හැකි අතර එය චිපය සහ හිස් පිඟන් මැටි අතර තාප ආතතිය සැලකිය යුතු ලෙස අඩු කළ හැකිය උපස්ථරය.

කුසලතා :

තඹ තීරුට හොඳ විද්යුත් සන්නායකතාවක් හා තාප සන්නායකතාවක් ඇති අතර, ඇලුමිනා විසින් Cu-Al23-CU සංකීර්ණයේ ව්යාප්තිය පුළුල් ලෙස පාලනය කළ හැකි වන අතර එමඟින් ආලෝයිට සමාන තාප ප්රසාරතාවයේ සංගුණකය, ඩී.බී.සී. තාප සන්නායකතාවය, ශක්තිමත් පරිවරණය සහ ඉහළ විශ්වසනීයත්වය සහ IGBT, LD සහ CPV ඇසුරුම්වල බහුලව භාවිතා කර ඇත. විශේෂයෙන් thick න තපර් ෆයිල් (100 ~ 600μm) නිසා, එය IGBT සහ LD ඇසුරුම් ක්ෂේත්රයේ පැහැදිලිවම වාසි ඇත.

ප්රමාණවත් නොවේ :

;

.

ඩීබීසී උපස්ථරයේ සකස් කිරීමේ ක්රියාවලියේදී, විෂබීජහරණය සහ ඔක්සිජන් අන්තර්ගතය දැඩි ලෙස පාලනය කළ යුතු අතර ඔක්සිකාරක කාලය සහ ඔක්සිකරණ උෂ්ණත්වය වඩාත් වැදගත් පරාමිති දෙක වේ. තඹ තීරු පූර්ව ඔක්සිකරණය වූ පසු, බන්ධන අතුරුමුහුණත තෙත් al22o3 පිඟන් මැටි සහ තඹ තීරු සහ අධික බැඳීම් ශක්තියක් සහිතව ප්රමාණවත් තරම් සීමා කළ හැකිය; තඹ තීරු පූර්ව ඔක්සිකරණය නොවන්නේ නම්, කැක්සි වංචා කිරීමේ හැකියාව දුර්වල වන අතර, බන්ධන ශක්තිය හා තාප සන්නායකතාව අඩු කිරීම, බන්ධන අතුරු මුහුණතේ පවතිනු ඇත. එස්.එන්.එන්.සී.